तोशिबा ने जापान में पावर सेमीकंडक्टर के लिए 300-एमएम वेफर निर्माण सुविधा पूरी कर ली है, जो बहु-वर्षीय निवेश कार्यक्रम के पहले चरण को चिह्नित करता है। Toshiba completes 300-mm wafer fabrication facility for power semiconductors in Japan, marking Phase 1 of a multi-year investment program.

तोशिबा ने जापान में कागा तोशिबा इलेक्ट्रॉनिक्स कॉर्पोरेशन में पावर सेमीकंडक्टर के लिए एक नई 300-एमएम वेफर निर्माण सुविधा पूरी कर ली है। Toshiba has completed a new 300-mm wafer fabrication facility for power semiconductors at Kaga Toshiba Electronics Corporation in Japan. यह उपलब्धि तोशिबा के बहु-वर्षीय निवेश कार्यक्रम के चरण 1 की शुरुआत का प्रतीक है। This milestone marks the start of Phase 1 of Toshiba's multi-year investment program. इस सुविधा में भूकंपरोधी पृथक संरचना, अतिरिक्त ऊर्जा स्रोत शामिल हैं, तथा यह नवीकरणीय ऊर्जा से संचालित होगी। The facility features a seismic isolation structure, redundant power sources, and will be powered by renewable energy. वित्तीय वर्ष 2024 की दूसरी छमाही में बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू होने की उम्मीद है, जिससे तोशिबा की पावर सेमीकंडक्टर उत्पादन क्षमता वित्तीय वर्ष 2021 की तुलना में 2.5 गुना बढ़ जाएगी। Mass production is expected to begin in the second half of fiscal year 2024, increasing Toshiba's power semiconductor production capacity by 2.5 times compared to fiscal 2021.