शिन-एत्सु केमिकल ने अर्धचालक प्रदर्शन में सुधार के लिए 300-मिमी गाएन सब्सट्रेट विकसित किया। Shin-Etsu Chemical to develop 300-mm GaN substrate for enhanced semiconductor performance.

शिन-एत्सु केमिकल कं, लिमिटेड 300-मिमी गैलियम नाइट्राइड (GaN) अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया एक QSTTM सब्सट्रेट विकसित करने के लिए तैयार है। Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. is set to develop a QST™ substrate designed for 300-mm gallium nitride (GaN) applications. इस नवाचार का उद्देश्य अर्धचालक उपकरणों के प्रदर्शन और दक्षता में सुधार करना है, जो अर्धचालक क्षेत्र में प्रौद्योगिकी को आगे बढ़ाने के लिए कंपनी की प्रतिबद्धता को दर्शाता है। This innovation aims to enhance the performance and efficiency of semiconductor devices, reflecting the company's commitment to advancing technology in the semiconductor sector.