मिशिगन विश्वविद्यालय उन्नत गर्मी प्रतिरोधी सिलिकॉन कार्बाइड अर्धचालकों को विकसित करने के लिए $7.5 लाख की परियोजना का नेतृत्व करता है। University of Michigan leads a $7.5 million project to develop advanced heat-resistant silicon carbide semiconductors.

मिशिगन विश्वविद्यालय गर्मी प्रतिरोधी सिलिकॉन कार्बाइड (सी. आई. सी.) अर्धचालकों को विकसित करने के लिए $7.5 लाख की परियोजना का नेतृत्व करता है, जिसमें $24 लाख का प्रारंभिक वित्त पोषण होता है। The University of Michigan leads a $7.5 million project to develop heat-resistant silicon carbide (SiC) semiconductors, with initial funding of $2.4 million. इस पहल का उद्देश्य नासा की प्रौद्योगिकी को बढ़ाना, सी. आई. सी. चिप डिजाइन को अधिक सुलभ बनाना और एयरोस्पेस, रक्षा, नवीकरणीय ऊर्जा और विद्युत वाहनों में अनुप्रयोगों को आगे बढ़ाना है। The initiative aims to scale up NASA's technology, making SiC chip design more accessible and advancing applications in aerospace, defense, renewable energy, and electric vehicles. प्रमुख भागीदारों में नासा, जीई एयरोस्पेस, ओज़ार्क इंटीग्रेटेड सर्किट और वोल्फस्पीड शामिल हैं। Key partners include NASA, GE Aerospace, Ozark Integrated Circuits, and Wolfspeed.