चीन में शोधकर्ताओं ने पॉक्स का अनावरण किया, जो वर्तमान विकल्पों की तुलना में 10,000 गुना तेज एक फ्लैश मेमोरी तकनीक है। Researchers in China unveil PoX, a flash memory tech 10,000 times faster than current options.

चीन के फुदान विश्वविद्यालय के शोधकर्ताओं ने पॉक्स नामक एक नई फ्लैश मेमोरी तकनीक बनाई है, जो प्रति 400 पिकोसेकंड में एक बिट की अभूतपूर्व गति से डेटा को संग्रहीत कर सकती है। Researchers at Fudan University in China have created a new flash memory technology called PoX, which can store data at an unprecedented speed of one bit per 400 picoseconds. यह गैर-वाष्पशील स्मृति, जो बिना बिजली के डेटा को बनाए रखने में सक्षम है, वर्तमान फ्लैश स्मृति की तुलना में लगभग 10,000 गुना तेज है और एसआरएएम और डीआरएएम जैसे पारंपरिक वाष्पशील स्मृति प्रकारों से काफी बेहतर प्रदर्शन करती है। This non-volatile memory, capable of retaining data without power, is about 10,000 times faster than current flash memory and significantly outperforms traditional volatile memory types like SRAM and DRAM. यह नवाचार संभावित रूप से ए. आई. प्रणालियों और उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स में भंडारण समाधानों में क्रांति ला सकता है, जो तेजी से संचालन और कम बिजली की खपत की पेशकश कर सकता है। The innovation could potentially revolutionize storage solutions in AI systems and consumer electronics, offering faster operation and lower power consumption.