तोशिबा ने औद्योगिक उपयोग के लिए बिजली घनत्व को बढ़ावा देते हुए कॉम्पैक्ट, कुशल 650वी सी. आई. सी. एम. ओ. एस. एफ. ई. टी. लॉन्च किए। Toshiba launches compact, efficient 650V SiC MOSFETs, boosting power density for industrial uses.

तोशिबा ने एक कॉम्पैक्ट डी. एफ. एन. 8x8 पैकेज में चार नए 650वी. सिलिकॉन कार्बाइड (सी. आई. सी.) एम. ओ. एस. एफ. ई. टी. पेश किए हैं, जिससे पुराने मॉडलों की तुलना में उपकरण की मात्रा में 90 प्रतिशत से अधिक की कमी आई है। Toshiba has introduced four new 650V silicon carbide (SiC) MOSFETs in a compact DFN8x8 package, reducing device volume by over 90% compared to older models. ये एम. ओ. एस. एफ. ई. टी., बिजली आपूर्ति और फोटोवोल्टिक जनरेटर जैसे औद्योगिक उपयोगों के लिए उपयुक्त हैं, जो स्विचिंग नुकसान में काफी कटौती करते हैं और बिजली घनत्व में सुधार करते हैं। These MOSFETs, suitable for industrial uses like power supplies and photovoltaic generators, significantly cut switching losses and improve power density. तोशिबा का उद्देश्य इन प्रगति के साथ उपकरण दक्षता और बिजली क्षमता को बढ़ाना है। Toshiba aims to enhance equipment efficiency and power capacity with these advancements.