चीनी वैज्ञानिकों ने 1-एनएम फेरोइलेक्ट्रिक सामग्री का उपयोग करके एक अति-कुशल चिप बनाई, जो उपकरणों पर तेज, कम-शक्ति वाले ए. आई. प्रसंस्करण को सक्षम बनाती है। Chinese scientists created a ultra-efficient chip using a 1-nm ferroelectric material, enabling fast, low-power AI processing on devices.

पेकिंग विश्वविद्यालय के चीनी वैज्ञानिकों ने एक नई फेरोइलेक्ट्रिक सामग्री का उपयोग करके एक उच्च प्रदर्शन वाली कंप्यूटिंग-इन-मेमोरी चिप विकसित की है, जिससे अल्ट्राथिन, केवल 1 नैनोमीटर मोटी एक समान फिल्म बनती है जो मजबूत स्मृति गुणों को बनाए रखती है। Chinese scientists at Peking University have developed a high-performance computing-in-memory chip using a novel ferroelectric material, creating ultrathin, uniform films just 1 nanometer thick that maintain strong memory properties. यह उपकरण 0.8 वोल्ट पर काम करता है, 20 नैनोसेकंड में डेटा लिखता है, और वर्तमान मानकों को पार करते हुए 1.5 खरब से अधिक पुनर्लेखन चक्रों में जीवित रहता है। The device operates at 0.8 volts, writes data in 20 nanoseconds, and survives over 1.5 trillion rewrite cycles—exceeding current standards. एक इकाई में स्मृति और प्रसंस्करण को एकीकृत करके, यह ऊर्जा के उपयोग को कम करता है और मौजूदा अर्धचालक निर्माण के लिए अनुकूलता के साथ गणना को गति देता है। By integrating memory and processing in one unit, it reduces energy use and speeds up computation, with compatibility for existing semiconductor manufacturing. साइंस में प्रकाशित यह सफलता, क्लाउड कंप्यूटिंग पर निर्भरता को कम करते हुए, स्मार्टफोन और उपकरणों जैसे रोजमर्रा के उपकरणों पर शक्तिशाली ए. आई. प्रसंस्करण को सक्षम कर सकती है। The breakthrough, published in Science, could enable powerful AI processing on everyday devices like smartphones and appliances, cutting reliance on cloud computing.