पैरा लाइट ने डाटा सेंटर और औद्योगिक उपयोग के लिए बेहतर थर्मल स्थिरता और दक्षता वाले नए SiC MOSFET लॉन्च किए हैं। Para Light launches new SiC MOSFETs with improved thermal stability and efficiency for data centers and industrial use.

पैरा लाइट ने अपने थर्माफ्लैट सी. आई. सी. एम. ओ. एस. एफ. ई. टी. को लॉन्च किया है, जो-25 डिग्री सेल्सियस से + 125 डिग्री सेल्सियस तक स्थिर प्रतिरोध के साथ सफल तापीय प्रदर्शन का दावा करता है। Para Light has launched its ThermaFlat SiC MOSFETs, claiming breakthrough thermal performance with stable on-resistance from -25°C to +125°C. 650V और 1200V मॉडल न्यूनतम प्रतिरोध वृद्धि दिखाते हैं, जिससे शीतलन की आवश्यकता कम होती है और दक्षता बढ़ती है। The 650V and 1200V models show minimal resistance increase, reducing cooling needs and boosting efficiency. टी. ओ.-247-4 पैकेज में केल्विन स्रोत पिन का उपयोग करके, वे स्विचिंग नुकसान में 35 प्रतिशत तक की कटौती करते हैं। Using a Kelvin source pin in a TO-247-4 package, they cut switching losses by up to 35%. डेटा सेंटर बिजली आपूर्ति, औद्योगिक ड्राइव और यूपीएस प्रणालियों पर लक्षित, नए उपकरण एसआईसी मॉसफेट बाजार में पैरा लाइट के प्रवेश को चिह्नित करते हैं, जिसका उद्देश्य बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स विश्वसनीयता और दक्षता के लिए एक नया मानक स्थापित करना है। Targeted at data center power supplies, industrial drives, and UPS systems, the new devices mark Para Light’s entry into the SiC MOSFET market, aiming to set a new standard for power electronics reliability and efficiency.